Infineon IPT Typ N-Kanal MOSFET 150 V / 174 A 300 W, 7-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 260-2675
- Herst. Teile-Nr.:
- IPTG044N15NM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
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| 1800 + | 1,862 € | 3.351,60 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 260-2675
- Herst. Teile-Nr.:
- IPTG044N15NM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 174A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | IPT | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.4mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 71nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.82V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 174A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie IPT | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.4mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 71nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.82V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon-MOSFET wird in einem verbesserten TO-verdrahteten Gehäuse mit Gullwing-Kabeln geliefert, die eine kompatible Abmessung gegenüber TO-verdrahteten haben, was eine ausgezeichnete elektrische Leistung ermöglicht. Es handelt sich um eine erstklassige Technologie mit hohem Nennstrom.
Geringes Klingeln und geringe Spannungsüberlastung
Hohe Leistungsfähigkeit
Hohe Systemzuverlässigkeit
Hoher Wirkungsgrad und geringere elektromagnetische Störungen
Optimierte Platinennutzung
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