Infineon IPT Typ N-Kanal MOSFET 150 V / 174 A 300 W, 7-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 260-2676
- Herst. Teile-Nr.:
- IPTG044N15NM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
5,26 €
(ohne MwSt.)
6,26 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 150 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | 5,26 € |
| 10 - 24 | 4,73 € |
| 25 - 49 | 4,42 € |
| 50 - 99 | 4,15 € |
| 100 + | 3,84 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 260-2676
- Herst. Teile-Nr.:
- IPTG044N15NM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 174A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | IPT | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.4mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.82V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 71nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 174A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie IPT | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.4mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.82V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 71nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon-MOSFET wird in einem verbesserten TO-verdrahteten Gehäuse mit Gullwing-Kabeln geliefert, die eine kompatible Abmessung gegenüber TO-verdrahteten haben, was eine ausgezeichnete elektrische Leistung ermöglicht. Es handelt sich um eine erstklassige Technologie mit hohem Nennstrom.
Geringes Klingeln und geringe Spannungsüberlastung
Hohe Leistungsfähigkeit
Hohe Systemzuverlässigkeit
Hoher Wirkungsgrad und geringere elektromagnetische Störungen
Optimierte Platinennutzung
Verwandte Links
- Infineon IPT Typ N-Kanal MOSFET 150 V / 174 A 300 W, 7-Pin TO-263
- Infineon IPT Typ N-Kanal MOSFET 150 V / 174 A 300 W, 16-Pin TO-263
- Infineon IPT Typ N-Kanal 8-Pin HSOF-8
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal 7-Pin TO-263
- Infineon IPT Typ N-Kanal MOSFET 319 V / 190 A 319 W, 16-Pin TO-263
- Infineon IPT Typ N-Kanal 8-Pin TO-263
- Infineon IPT Typ N-Kanal MOSFET 150 V / 143 A 250 W, 8-Pin HSOG
- Infineon IPT Typ N-Kanal MOSFET 150 V / 122 A 214 W, 16-Pin HDSOP