Infineon IPT N-Kanal, SMD MOSFET 319 V / 190 A 319 W, 16-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 260-2669
- Herst. Teile-Nr.:
- IPTC039N15NM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Zwischensumme (1 Rolle mit 1800 Stück)*
5.119,20 €
(ohne MwSt.)
6.091,20 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 14. April 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 1800 + | 2,844 € | 5.119,20 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 260-2669
- Herst. Teile-Nr.:
- IPTC039N15NM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 190A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 319V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | IPT | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.9mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 74nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 319W | |
| Durchlassspannung Vf | 810mV | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.1mm | |
| Höhe | 2.35mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Breite | 10.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 190A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 319V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie IPT | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 16 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.9mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 74nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 319W | ||
Durchlassspannung Vf 810mV | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.1mm | ||
Höhe 2.35mm | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Breite 10.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon MOSFET bietet ein Kühlgehäuse für überlegene thermische Leistung mit einem innovativen Gehäuse in Kombination mit den wichtigsten Merkmalen der Technologie, die beste Produkte in ihrer Klasse sowie einen hohen Nennstrom für Designs mit hoher Leistungsdichte ermöglicht.
Erhöhte Systemeffizienz für längere Batterielebensdauer
Hohe Leistungsdichte
Überlegene thermische Leistung
Einsparung im Kühlsystem