Infineon IPT Typ N-Kanal MOSFET 319 V / 190 A 319 W, 16-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
260-2669
Herst. Teile-Nr.:
IPTC039N15NM5ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

190A

Drain-Source-Spannung Vds max.

319V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

IPT

Pinanzahl

16

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.9mΩ

Durchlassspannung Vf

0.81V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

319W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

74nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.35mm

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21, RoHS

Breite

10.3 mm

Länge

10.1mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon MOSFET bietet ein Kühlgehäuse für überlegene thermische Leistung mit einem innovativen Gehäuse in Kombination mit den wichtigsten Merkmalen der Technologie, die beste Produkte in ihrer Klasse sowie einen hohen Nennstrom für Designs mit hoher Leistungsdichte ermöglicht.

Erhöhte Systemeffizienz für längere Batterielebensdauer

Hohe Leistungsdichte

Überlegene thermische Leistung

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