Infineon IPT N-Kanal MOSFET 150 V / 190 A 319 W, 8-Pin TOLG
- RS Best.-Nr.:
- 260-2673
- Herst. Teile-Nr.:
- IPTG039N15NM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- 260-2673
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- IPTG039N15NM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 190A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | IPT | |
| Gehäusegröße | TOLG | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.9mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 74nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 319W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.81V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 190A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie IPT | ||
Gehäusegröße TOLG | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.9mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 74nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 319W | ||
Durchlassspannung Vf 0.81V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon-MOSFET wird in einem verbesserten TO-verdrahteten Gehäuse mit Gullwing-Kabeln geliefert, die eine kompatible Abmessung gegenüber TO-verdrahteten haben, was eine ausgezeichnete elektrische Leistung ermöglicht. Es handelt sich um eine erstklassige Technologie mit hohem Nennstrom.
Hohe Leistungsfähigkeit
Hohe Systemzuverlässigkeit
Hoher Wirkungsgrad und geringere elektromagnetische Störungen
Optimierte Platinennutzung
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