Infineon IPT Typ N-Kanal MOSFET 150 V / 190 A 319 W, 8-Pin TOLG

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 1800 Stück)*

6.645,60 €

(ohne MwSt.)

7.907,40 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 23. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
1800 +3,692 €6.645,60 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
260-2673
Herst. Teile-Nr.:
IPTG039N15NM5ATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

190A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

TOLG

Serie

IPT

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.9mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.81V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

319W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

74nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS, IEC 61249-2-21

Automobilstandard

Nein

Der Infineon-MOSFET wird in einem verbesserten TO-verdrahteten Gehäuse mit Gullwing-Kabeln geliefert, die eine kompatible Abmessung gegenüber TO-verdrahteten haben, was eine ausgezeichnete elektrische Leistung ermöglicht. Es handelt sich um eine erstklassige Technologie mit hohem Nennstrom.

Hohe Leistungsfähigkeit

Hohe Systemzuverlässigkeit

Hoher Wirkungsgrad und geringere elektromagnetische Störungen

Optimierte Platinennutzung

Verwandte Links