Infineon IPT Typ N-Kanal MOSFET 150 V / 190 A 319 W, 8-Pin TOLG

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RS Best.-Nr.:
260-2673
Herst. Teile-Nr.:
IPTG039N15NM5ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

190A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

TOLG

Serie

IPT

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.9mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

319W

Durchlassspannung Vf

0.81V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

74nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS, IEC 61249-2-21

Automobilstandard

Nein

Der Infineon-MOSFET wird in einem verbesserten TO-verdrahteten Gehäuse mit Gullwing-Kabeln geliefert, die eine kompatible Abmessung gegenüber TO-verdrahteten haben, was eine ausgezeichnete elektrische Leistung ermöglicht. Es handelt sich um eine erstklassige Technologie mit hohem Nennstrom.

Hohe Leistungsfähigkeit

Hohe Systemzuverlässigkeit

Hoher Wirkungsgrad und geringere elektromagnetische Störungen

Optimierte Platinennutzung

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