Infineon IPT Typ N-Kanal MOSFET 319 V / 190 A 319 W, 16-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 260-2670
- Herst. Teile-Nr.:
- IPTC039N15NM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- 260-2670
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 190A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 319V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | IPT | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.9mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 0.81V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 319W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 74nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Höhe | 2.35mm | |
| Breite | 10.3 mm | |
| Länge | 10.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 190A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 319V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie IPT | ||
Pinanzahl 16 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.9mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 0.81V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 319W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 74nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Höhe 2.35mm | ||
Breite 10.3 mm | ||
Länge 10.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon MOSFET bietet ein Kühlgehäuse für überlegene thermische Leistung mit einem innovativen Gehäuse in Kombination mit den wichtigsten Merkmalen der Technologie, die beste Produkte in ihrer Klasse sowie einen hohen Nennstrom für Designs mit hoher Leistungsdichte ermöglicht.
Erhöhte Systemeffizienz für längere Batterielebensdauer
Hohe Leistungsdichte
Überlegene thermische Leistung
Einsparung im Kühlsystem
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