Infineon IPT N-Kanal, SMD MOSFET 319 V / 190 A 319 W, 16-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 260-2670
- Herst. Teile-Nr.:
- IPTC039N15NM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 190A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 319V | |
| Serie | IPT | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.9mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 74nC | |
| Durchlassspannung Vf | 810mV | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 319W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 10.3mm | |
| Länge | 10.1mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Höhe | 2.35mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 190A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 319V | ||
Serie IPT | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 16 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.9mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 74nC | ||
Durchlassspannung Vf 810mV | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 319W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 10.3mm | ||
Länge 10.1mm | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Höhe 2.35mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon MOSFET bietet ein Kühlgehäuse für überlegene thermische Leistung mit einem innovativen Gehäuse in Kombination mit den wichtigsten Merkmalen der Technologie, die beste Produkte in ihrer Klasse sowie einen hohen Nennstrom für Designs mit hoher Leistungsdichte ermöglicht.
Erhöhte Systemeffizienz für längere Batterielebensdauer
Hohe Leistungsdichte
Überlegene thermische Leistung
Einsparung im Kühlsystem