Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 800 V / 400 A 81 W, 8-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
244-0902
Herst. Teile-Nr.:
IPT012N08N5ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

400A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

IPT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.2mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der OptiMOS-Leistungs-MOSFET von Infineon im TO-Leadless-Gehäuse ist für Hochstromanwendungen bis 300 A optimiert, wie z. B. Gabelstapler, leichte Elektrofahrzeuge (LEV), Elektrowerkzeuge, Point-of-Loads (POL), Telekommunikation und E-Sicherungen. Darüber hinaus ermöglicht die um 60 Prozent kleinere Gehäusegröße eine sehr kompakte Bauweise.

N-Kanal, normales Niveau

100 % Lawinengeprüft

Bleifreie Beschichtung,

RoHS-konform

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