Infineon IPT N-Kanal, Oberfläche MOSFET 800 V / 400 A 81 W, 8-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 244-0901
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT012N08N5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- IPT012N08N5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 400A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Serie | IPT | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.2mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 400A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Serie IPT | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.2mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
MOSFET der IPT-Serie von Infineon, 800 V maximale Drain-Source-Spannung, 400 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPT012N08N5ATMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs- und Hochstromschaltgerät, das für anspruchsvolle Leistungsumwandlungs- und Automobilumgebungen entwickelt wurde. Er fungiert als N-Kanal-Transistor zur Steuerung großer Gleichstromlasten und ist für oberflächenmontierte Anwendungen vorgesehen, bei denen eine thermische Belastbarkeit und eine robuste elektrische Leistung erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 800 V ermöglicht den Betrieb von Hochspannungsschaltern
• 400 A Dauerstrom unterstützen Hochlastanwendungen
• Niedrige Rds(on) von 1.2 mΩ minimiert Leitungsverluste
• 81 W Verlustleistung ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• Gate-Ladung von 80 nC ermöglicht eine vorhersehbare Schaltsteuerung
• Der Temperaturbereich von -55 °C bis 175 °C gewährleistet eine breite thermische Toleranz
• 400 A Dauerstrom unterstützen Hochlastanwendungen
• Niedrige Rds(on) von 1.2 mΩ minimiert Leitungsverluste
• 81 W Verlustleistung ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• Gate-Ladung von 80 nC ermöglicht eine vorhersehbare Schaltsteuerung
• Der Temperaturbereich von -55 °C bis 175 °C gewährleistet eine breite thermische Toleranz
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochspannungs-Wechselrichterstufen
• Ideal für Batteriemanagement und Stromverteilung
• Wird mit Kraftfahrzeug-Stromwandlern verwendet, die den Anforderungen von AEC-Q101 entsprechen
• Kann zum Schalten von industriellen Motorantrieben verwendet werden
• Wird für Hochstrom-DC/DC-Wandler-Topologien verwendet
• Ideal für Batteriemanagement und Stromverteilung
• Wird mit Kraftfahrzeug-Stromwandlern verwendet, die den Anforderungen von AEC-Q101 entsprechen
• Kann zum Schalten von industriellen Motorantrieben verwendet werden
• Wird für Hochstrom-DC/DC-Wandler-Topologien verwendet
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte müssen beachtet werden?
Das Gerät nimmt bis zu 20 V zwischen Gate und Quelle auf und erfordert innerhalb dieser Grenze geeignete Gate-Antriebspegel.
Welches Gehäuse sollte für das Wärmemanagement in Betracht gezogen werden?
Das oberflächenmontierbare TO‐263-Gehäuse bietet eine große Wärmeleitfläche für Kühlkörper und Leiterplatten-Wärmeableitung.
Wie verhält sich die Komponente in der Automobilqualifizierung?
Er entspricht dem AEC-Q101-Kfz-Teststandard für Halbleitergeräte, die in Fahrzeugen eingesetzt werden.
Welche Umweltvorschriften werden eingehalten?
Die Komponente erfüllt die RoHS-Anforderungen für eingeschränkt gefährliche Stoffe.
Wie ist die Kanalführung und die Schaltausrichtung?
Es handelt sich um ein N-Kanal-Gerät, das für die Drain-to-Source-Leitung in herkömmlichen High-Side- oder Low-Side-Schalteranordnungen konfiguriert ist.