onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 150 V / 174 A 293 W, 8-Pin TDFN
- RS Best.-Nr.:
- 229-6489
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMTSC4D3N15MC
- Marke:
- onsemi
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| 2 - 18 | 5,885 € | 11,77 € |
| 20 - 198 | 5,075 € | 10,15 € |
| 200 - 998 | 4,40 € | 8,80 € |
| 1000 - 1998 | 3,865 € | 7,73 € |
| 2000 + | 3,515 € | 7,03 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 229-6489
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMTSC4D3N15MC
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 174A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | TDFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 293W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 79nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 8.5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 8.1mm | |
| Breite | 1.2 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 174A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße TDFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 293W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 79nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 8.5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 8.1mm | ||
Breite 1.2 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor-MOSFET für industrielle Anwendungen in einem 8 x 8 mm flachen Kabelgehäuse für kompakte und effiziente Designs und einschließlich hoher Wärmeleistung. Benetzbare Flanke für verbesserte optische Inspektion. Er wird in der Batterie des Umkehrhebels, in Schaltnetzteilen und in Netzschaltern verwendet.
Kompaktes Design
Minimierung von Leitungsverlusten
Minimiert Treiberverluste
Verbesserte optische Inspektion