Infineon HEXFET AUIRFR540Z N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 35 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 214-8951
Herst. Teile-Nr.:: AUIRFR540Z
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET AUIRFR540Z N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 35 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Preis pro Stück (In einer Stange von 75)

1,131 €

(ohne MwSt.)

1,346 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
75 - 150	1,131 €	84,825 €
225 - 300	1,088 €	81,60 €
375 +	1,074 €	80,55 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 214-8951
Herst. Teile-Nr.:: AUIRFR540Z
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Datasheet - AUIRFR540Z

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Produktdetails

Die Infineon HEXFET Leistungs-MOSFETs verwenden die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Betriebswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Zusätzliche Merkmale dieses Designs sind 175 °C Sperrschichtbetriebstemperatur, schnelle Schaltgeschwindigkeit und verbesserte sich wiederholende Lawineneinstufung . Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in Kfz-Anwendungen und einer Vielzahl anderer Anwendungen.

Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
Sehr niedriger Einschaltwiderstand
Kfz-zugelassen

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	35 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Serie	HEXFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	0,0285 O
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si

Infineon HEXFET AUIRFR540Z N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 35 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

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