Infineon HEXFET AUIRFR540Z N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 35 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 214-8953
Herst. Teile-Nr.:: AUIRFR540Z
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET AUIRFR540Z N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 35 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

1705 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer VPE à 10)

2,178 €

(ohne MwSt.)

2,592 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
10 - 40	2,178 €	21,78 €
50 - 90	2,071 €	20,71 €
100 - 240	1,863 €	18,63 €
250 +	1,853 €	18,53 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 214-8953
Herst. Teile-Nr.:: AUIRFR540Z
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Datasheet - AUIRFR540Z

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Produktdetails

Die Infineon HEXFET Leistungs-MOSFETs verwenden die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Betriebswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Zusätzliche Merkmale dieses Designs sind 175 °C Sperrschichtbetriebstemperatur, schnelle Schaltgeschwindigkeit und verbesserte sich wiederholende Lawineneinstufung . Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in Kfz-Anwendungen und einer Vielzahl anderer Anwendungen.

Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
Sehr niedriger Einschaltwiderstand
Kfz-zugelassen

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	35 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	0,0285 O
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1

Infineon HEXFET AUIRFR540Z N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 35 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

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