Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 147 A 50 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 214-8972
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC015NE2LS5IATMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 15 Stück)*
19,97 €
(ohne MwSt.)
23,76 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- 4.995 Einheit(en) mit Versand ab 16. September 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 1,331 € | 19,97 € |
| 75 - 135 | 1,263 € | 18,95 € |
| 150 - 360 | 1,211 € | 18,17 € |
| 375 - 735 | 1,157 € | 17,36 € |
| 750 + | 1,077 € | 16,16 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-8972
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC015NE2LS5IATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 147A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 25V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 22nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 650mV | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 50W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Länge | 5.49mm | |
| Breite | 6.35mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 147A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 25V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 650mV | ||
Maximale Verlustleistung Pd 50W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.1mm | ||
Länge 5.49mm | ||
Breite 6.35mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der OptiMOS-Serie von Infineon, 50 W maximale Verlustleistung, 25 V maximale Drain-Source-Spannung – BSC015NE2LS5IATMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für oberflächenmontierte Leistungsschaltungen und Laststeuerungen in anspruchsvollen thermischen Umgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und ist für eine hohe kontinuierliche Ableitstrom- und Leistungsaufnahme spezifiziert, wodurch er sich für Anwendungen eignet, die geringe Leitungsverluste und eine schnelle, gate-gesteuerte Schaltung erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• 1,5 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste bei hohen Strömen
• 147 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt hohe Lastströme
• 50 W Verlustleistung ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• Die typische Gate-Ladung von 22 nC ermöglicht eine effiziente Schaltsteuerung
• Die Durchlassspannung von 0,65 V minimiert den Spannungsabfall unter Last
• 25-V-Drain-Source-Nennleistung für Niederspannungs-Stromversorgungsschienen
• 147 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt hohe Lastströme
• 50 W Verlustleistung ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• Die typische Gate-Ladung von 22 nC ermöglicht eine effiziente Schaltsteuerung
• Die Durchlassspannung von 0,65 V minimiert den Spannungsabfall unter Last
• 25-V-Drain-Source-Nennleistung für Niederspannungs-Stromversorgungsschienen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochstrom-DC/DC-Wandler
• Ideal für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen
• Wird für Motorantriebsstufen in der Leistungselektronik verwendet
• Kann zum Schutz und zur Verteilung von Batterien verwendet werden
• Geeignet für die Leistungsschaltung in kompakten SMD-Baugruppen
• Ideal für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen
• Wird für Motorantriebsstufen in der Leistungselektronik verwendet
• Kann zum Schutz und zur Verteilung von Batterien verwendet werden
• Geeignet für die Leistungsschaltung in kompakten SMD-Baugruppen
Welches Gehäuse und welche Befestigungsart wird verwendet?
Er wird in einem 8-poligen TDSON-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist.
Welche Spannungsgrenzwerte sollten bei der Schaltungsentwicklung beachtet werden?
Die maximale Drain-Source-Spannung beträgt 25 V und die maximale Gate-Source-Spannung 16 V.
Wie funktioniert es bei extremen Temperaturen?
Es ist spezifiziert für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C für einen erweiterten thermischen Bereich.
Welcher Kanaltyp und welcher Modus sind implementiert?
Das Gerät ist ein N-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET.
Welche physischen Einschränkungen sind für das Leiterplatten-Layout relevant?
Das Gehäuse misst ca. 5,49 mm x 6,35 mm bei einer Höhe von 1,1 mm.