Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 80 A 125 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
214-9029
Herst. Teile-Nr.:
IPD082N10N3GATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

80A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

OptiMOS 3

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

42nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

6.73mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.22 mm

Höhe

2.41mm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon 100-V-OptiMOS-Leistungs-MOSFETs bieten überlegene Lösungen für hocheffiziente SMPS mit hoher Leistungsdichte. Im Vergleich zur nächstbesten Technologie erreicht diese Familie sowohl bei R DS(on) als auch bei FOM (Leistungszahl) eine Reduktion von 30 %. Ideal für Hochfrequenzschaltung und synchrone Gleichrichtung. Mögliche Anwendungen umfassen Klasse-D-Audioverstärker, isolierte DC/DC-Wandler usw.

Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C

Qualifiziert gemäß JEDEC für Zielanwendungen

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