Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 80 A 125 W, 3-Pin TO-263

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897-7361
Herst. Teile-Nr.:
IPB083N10N3GATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

80A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

OptiMOS 3

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

15.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

42nC

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

4.57mm

Breite

9.45 mm

Länge

10.31mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Nicht zutreffend

Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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