Infineon OptiMOS™ 3 IPB083N10N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 80 A 125 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 165-8268
Herst. Teile-Nr.:: IPB083N10N3GATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS™ 3 IPB083N10N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 80 A 125 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:: 165-8268
Herst. Teile-Nr.:: IPB083N10N3GATMA1
Marke:: Infineon

IPP086N10N3 G, IPI086N10N3 G, IPB083N10N3 G, IPD082N10N3 G, OptiMOS3 Power MOSFET Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	80 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Serie	OptiMOS™ 3
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	15,1 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.5V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	125 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Länge	10.31mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	42 nC @ 10 V
Breite	9.45mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	4.57mm
Diodendurchschlagsspannung	1.2V

Infineon OptiMOS™ 3 IPB083N10N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 80 A 125 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr

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