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    Infineon OptiMOS™ 3 IPB054N08N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 80 A 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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    Verpackungsoptionen:
    RS Best.-Nr.:
    826-9178
    Herst. Teile-Nr.:
    IPB054N08N3GATMA1
    Marke:
    Infineon

    RoHS Status: Ausgenommen

    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.80 A
    Drain-Source-Spannung max.80 V
    SerieOptiMOS™ 3
    GehäusegrößeD2PAK (TO-263)
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.9,9 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.3.5V
    Gate-Schwellenspannung min.2V
    Verlustleistung max.150 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Betriebstemperatur max.+175 °C
    Gate-Ladung typ. @ Vgs52 nC @ 10 V
    Länge10.31mm
    Breite9.45mm
    Transistor-WerkstoffSi
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Betriebstemperatur min.–55 °C
    Höhe4.57mm

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