Infineon OptiMOS™ 3 IPD082N10N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 80 A, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 214-9027
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD082N10N3GATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 214-9027
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD082N10N3GATMA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Die Infineon 100-V-OptiMOS-Leistungs-MOSFETs bieten überlegene Lösungen für hocheffiziente SMPS mit hoher Leistungsdichte. Im Vergleich zur nächstbesten Technologie erreicht diese Familie sowohl bei R DS(on) als auch bei FOM (Leistungszahl) eine Reduktion von 30 %. Ideal für Hochfrequenzschaltung und synchrone Gleichrichtung. Mögliche Anwendungen umfassen Klasse-D-Audioverstärker, isolierte DC/DC-Wandler usw.
Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C
Qualifiziert gemäß JEDEC für Zielanwendungen
Qualifiziert gemäß JEDEC für Zielanwendungen
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 80 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
| Gehäusegröße | TO-252 |
| Serie | OptiMOS™ 3 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,0082 O |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Transistor-Werkstoff | Si |
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