- RS Best.-Nr.:
- 215-2450
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRF7648M2TR
- Marke:
- Infineon
9570 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer VPE à 5)
3,028 €
(ohne MwSt.)
3,603 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
---|---|---|
5 - 20 | 3,028 € | 15,14 € |
25 - 45 | 2,726 € | 13,63 € |
50 - 120 | 2,542 € | 12,71 € |
125 - 245 | 2,362 € | 11,81 € |
250 + | 2,21 € | 11,05 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 215-2450
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRF7648M2TR
- Marke:
- Infineon
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Infineon Automotive DirectFET ® Power MOSFET hat eine maximale Ableitquellspannung von 60 V mit einem maximalen Dauerablassstrom von 68 A in einem DirectFET M4-Gehäuse. Der AUIRF7648M2 kombiniert die neueste Kfz-Siliziumtechnologie HEXFET ® Power MOSFET mit der Advanced DirectFET ® -Verpackung, um eine niedrige Gate-Ladung sowie den niedrigsten Widerstand im eingeschalteten Zustand in einem Gehäuse zu erreichen, das die Abmessungen eines SO-8 und nur 0,7 mm Profil aufweist. Das DirectFET ® -Gehäuse ist kompatibel mit vorhandenen Layoutgeometrien, die in Stromversorgungsanwendungen, Leiterplattenmontagegeräten und Dampfphasen-, Infrarot- oder Konvektionslötverfahren verwendet werden, wenn der Anwendungshinweis AN-1035 bezüglich der Herstellungsmethoden und -verfahren befolgt wird. Das DirectFET ® -Gehäuse ermöglicht eine zweiseitige Kühlung zur Maximierung der Wärmeübertragung in Kfz-Stromversorgungssystemen.
Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
Optimiert für Kfz-Motorantriebe, DC/DC und andere Hochleistungsanwendungen
Niedrige Rds (ein) für verbesserte Effizienz
Wiederholte Lawinenfähigkeit für Robustheit und Zuverlässigkeit
Bleifrei, RoHS- und halogenfrei
Optimiert für Kfz-Motorantriebe, DC/DC und andere Hochleistungsanwendungen
Niedrige Rds (ein) für verbesserte Effizienz
Wiederholte Lawinenfähigkeit für Robustheit und Zuverlässigkeit
Bleifrei, RoHS- und halogenfrei
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 68 A |
Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
Gehäusegröße | DirectFET ISOMETRISCH |
Serie | HEXFET |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 9 |
Drain-Source-Widerstand max. | 0,007 Ω |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 4.9V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Transistor-Werkstoff | Si |
Verwandte Produkte
- Infineon HEXFET AUIRF7648M2TR N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 68 A,...
- Infineon HEXFET AUIRF7640S2TR N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 21 A,...
- Infineon HEXFET IRF6785MTRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 19 A,...
- Infineon HEXFET IRF6668TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 55 A,...
- Infineon DirectFET, HEXFET IRF6648TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V /...
- Infineon DirectFET, HEXFET IRF7749L1TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 60 V...
- Infineon HEXFET IRF6616TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 106 A...
- Infineon HEXFET AUIRL7736M2TR N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 112 A...