Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 47 A 36 W, 8-Pin SuperSO

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RS Best.-Nr.:
215-2464
Herst. Teile-Nr.:
BSC094N06LS5ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

47A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

SuperSO

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

9.4nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

36W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Infineon OptiMOS Serie MOSFET, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 47 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSC094N06LS5ATMA1


Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Enhancement-Modus-Transistor für Hochstromschaltungen in oberflächenmontierten Baugruppen. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich für anspruchsvolle Umgebungen und eignet sich für Leistungsumwandlungsfunktionen, bei denen eine moderate Nennspannung von Ablassquellen und geringe Leitungsverluste erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:


• 60 V Ablasswert ermöglicht Mittelspannungs-Leistungsschaltung
• 47 A Dauerstrom unterstützt Anwendungen mit hoher Belastung
• 13,4 mΩ Rds(on) reduzieren den Leitungsstromverlust
• Maximale Verlustleistung von 36 W ermöglicht eine hohe Leistungsaufnahme
• Die typische Gate-Ladung von 9,4 nC optimiert die Schaltenergie
• 20-V-Gate-Toleranz ermöglicht flexible Antriebsspannungen

Anwendungsbereich


• Geeignet für synchrone Abwärtsreglerstufen
• Ideal für Motor-Treiber-Halbbrücken-Baugruppen
• Wird in Server-Power-Management-Front-Ends verwendet
• Kann zum Schutz und zur Verteilung von Batterien verwendet werden
• Geeignet für Hochstrom-DC/DC-Wandler

Welchen extremen Temperaturen kann er während des Betriebs standhalten?


Er funktioniert in einem breiten Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C und ermöglicht den Einsatz sowohl in Umgebungen mit Kaltstart als auch mit erhöhter Temperatur.

Wie ist es physisch für die Montage verpackt?


Das Gerät wird in einem oberflächenmontierten SuperSO-Gehäuse mit acht Stiften für die Leiterplattenmontage und die automatisierte Montage geliefert.

Welches Schaltverhalten können Entwickler während der Gate-Ansteuerung erwarten?


Mit einer typischen Gate-Ladung von 9,4 nC bietet er ein Gleichgewicht zwischen Schaltgeschwindigkeit und Antriebsenergie und ermöglicht effiziente Übergänge, wenn er von gängigen Gate-Treibern gesteuert wird.

Ist das Gerät für einen niedrigen Spannungsabfall in der Leitungsleitung optimiert?


Ja

Der niedrige Drain-Source-Widerstand von 13,4 mΩ minimiert den Spannungsabfall unter Last und reduziert die Wärmeentwicklung während des Dauerbetriebs.

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