Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 35 A 162 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 215-2565
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R060C7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
152,73 €
(ohne MwSt.)
181,74 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 60 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 5,091 € | 152,73 € |
| 60 - 120 | 4,836 € | 145,08 € |
| 150 + | 4,531 € | 135,93 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 215-2565
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R060C7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 35A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 60mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 68nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 162W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 35A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 60mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 68nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 162W | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon 600 V Cool MOS TM C7 Super Junction (SJ) MOSFET-Serie bietet eine ∼50 % Reduzierung der Abschaltverluste (E oss) im Vergleich zum Cool MOS TM CP und bietet ein hervorragendes Leistungsniveau in PFC, TTF und anderen hart schaltenden Topologien. Das IPL60R185C7 ist auch eine perfekte Wahl für Ladegeräte mit hoher Leistungsdichte. Effizienz- und TCO-Anwendungen (Gesamtbetriebskosten) wie Hyper-Rechenzentren und hocheffiziente Telekommunikationsgleichrichter (>96 %) profitieren von der höheren Effizienz, die Cool MOS TM C7 bietet. Es können Verstärkungsfaktoren von 0,3 % bis 0,7 % in PFC- und 0,1 % in LLC-Topologien erreicht werden. Im Fall eines 2,5-kW-Servernetzteils beispielsweise kann die Verwendung von 600-V-Cool-MOS-C7-SJ-MOSFETs in einem 4-poligen TO-247-Gehäuse zu einer Senkung der Energiekosten von ∼10 % bei PSU-Energieverlust führen.
Reduzierte Schaltverlustparameter wie z. B. Q G, C oss, E oss
Klassenbeste Leistung Q G*R DS(on)
Erhöhte Schaltfrequenz
Bestes R (on)*A der Welt
Robuste Gehäusediode
Verwandte Links
- Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal 3-Pin IPW60R060C7XKSA1 TO-247
- Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal 4-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal 4-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal 3-Pin IPW60R180C7XKSA1 TO-247
- Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal 3-Pin IPW60R080P7XKSA1 TO-247
- Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal 4-Pin IPZ60R040C7XKSA1 TO-247