Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 40 V / 644 A 107 W, 8-Pin PDFN56

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RS Best.-Nr.:
216-9647
Herst. Teile-Nr.:
TSM025NB04CR
Marke:
Taiwan Semiconductor
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Marke

Taiwan Semiconductor

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

644A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

PDFN56

Serie

TSM025

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

77nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

107W

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC

Breite

3.81 mm

Höhe

1.1mm

Länge

6mm

Automobilstandard

Nein

Die Taiwan Semiconductor Single N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistoren, steht für "Feldeffekttransistoren von Metalloxide Semiconductor". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

Niedriger RDS(ON) zur Minimierung von leitfähigen Verlusten Niedrige Gate-Ladung für schnelles Schalten 100 % UIS- und Rg-geprüft

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