Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 121 A 36 W, 8-Pin PDFN56

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RS Best.-Nr.:
216-9652
Herst. Teile-Nr.:
TSM033NB04CR
Marke:
Taiwan Semiconductor
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Marke

Taiwan Semiconductor

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

121A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

PDFN56

Serie

TSM025

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

79nC

Maximale Verlustleistung Pd

36W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

WEEE 2002/96/EC, RoHS 2011/65/EU, IEC 61249-2-21

Höhe

1.05mm

Länge

6mm

Automobilstandard

Nein

Die Taiwan Semiconductor Single N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistoren, steht für "Feldeffekttransistoren von Metalloxide Semiconductor". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

Niedriger RDS(ON) zur Minimierung von leitfähigen Verlusten Niedrige Gate-Ladung für schnelles Schalten 100 % UIS- und Rg-geprüft

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