Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 124 A 83 W, 8-Pin PDFN56
- RS Best.-Nr.:
- 216-9657
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM036N03PQ56
- Marke:
- Taiwan Semiconductor
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- Marke:
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Taiwan Semiconductor | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 124A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | PDFN56 | |
| Serie | TSM025 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 83W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 50nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 3.78mm | |
| Länge | 6mm | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21, WEEE 2002/96/EC, RoHS 2011/65/EU | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Taiwan Semiconductor | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 124A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße PDFN56 | ||
Serie TSM025 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 83W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 50nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 3.78mm | ||
Länge 6mm | ||
Höhe 1.05mm | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, WEEE 2002/96/EC, RoHS 2011/65/EU | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Taiwan Semiconductor Single N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistoren, steht für "Feldeffekttransistoren von Metalloxide Semiconductor". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.
Niedriger RDS(ON) zur Minimierung von leitfähigen Verlusten Niedrige Gate-Ladung für schnelles Schalten 100 % UIS- und Rg-geprüft
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