Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 51 A 83 W, 8-Pin PDFN56

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216-9689
Herst. Teile-Nr.:
TSM130NB06LCR
Marke:
Taiwan Semiconductor
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Marke

Taiwan Semiconductor

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

51A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

TSM025

Gehäusegröße

PDFN56

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Verlustleistung Pd

83W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

37nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

6.2mm

Höhe

1.1mm

Breite

5.2 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Taiwan Semiconductor Single N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistoren, steht für "Feldeffekttransistoren von Metalloxide Semiconductor". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

Niedriger RDS(ON) zur Minimierung von leitfähigen Verlusten Niedrige Gate-Ladung für schnelles Schalten 100 % UIS- und Rg-geprüft

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