Taiwan Semiconductor TSM025 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 80 A 74 W, 8-Pin PDFN56

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216-9664P
Herst. Teile-Nr.:
TSM055N03EPQ56
Marke:
Taiwan Semiconductor
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Marke

Taiwan Semiconductor

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

80A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

TSM025

Gehäusegröße

PDFN56

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Verlustleistung Pd

74W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

11.1nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

5mm

Höhe

1.1mm

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21

Länge

6mm

Automobilstandard

Nein

Die Taiwan Semiconductor Single N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistoren, steht für "Feldeffekttransistoren von Metalloxide Semiconductor". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

Halogenfrei gemäß IEC 61249-2-21

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