Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 24 A 96 W, 8-Pin PDFN56

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RS Best.-Nr.:
216-9715
Herst. Teile-Nr.:
TSM650N15CR
Marke:
Taiwan Semiconductor
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Marke

Taiwan Semiconductor

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

24A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

PDFN56

Serie

TSM025

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

65mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

36nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

96W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

5.1 mm

Normen/Zulassungen

RoHS 2011/65/EU and WEEE 2002/96/EC

Länge

6.1mm

Höhe

1.1mm

Automobilstandard

Nein

Die Taiwan Semiconductor Single N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistoren, steht für "Feldeffekttransistoren von Metalloxide Semiconductor". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

Niedriger RDS(ON) zur Minimierung von leitfähigen Verlusten Niedrige Gate-Ladung für schnelles Schalten 100 % UIS- und Rg-geprüft

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