Infineon IPD Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V / 50 A 58 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 217-2519
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD50P04P413ATMA2
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*
20,02 €
(ohne MwSt.)
23,82 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 6.820 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | 1,001 € | 20,02 € |
| 40 - 80 | 0,951 € | 19,02 € |
| 100 - 180 | 0,91 € | 18,20 € |
| 200 - 480 | 0,871 € | 17,42 € |
| 500 + | 0,811 € | 16,22 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 217-2519
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD50P04P413ATMA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 12.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 58W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 39nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | -1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 12.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 58W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 39nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf -1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
MOSFET der IPD-Serie von Infineon, 40 V maximale Drain-Source-Spannung, 50 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPD50P04P413ATMA2
Dieser MOSFET ist ein P-Kanal-Verbesserungsgerät, das für die Steuerung hoher Ströme in anspruchsvollen Umgebungen entwickelt wurde. Er bietet einen Halbleiterschalter, der in der Lage ist, erhebliche Drain-Source-Lasten zu bewältigen und gleichzeitig weite Temperaturbereiche zu tolerieren.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 40 V Drain-Source ermöglicht Schaltanwendungen mit mittlerer Spannung
• 50 A kontinuierliche Ablassleistung unterstützt Hochstromlasten
• 12,6 mΩ Rds(on) minimieren Leitungsverluste für einen effizienten Betrieb
• Maximale Verlustleistung von 58 W ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• Die typische Gate-Ladung von 39 nC sorgt für einen vorhersehbaren Schaltenergiebedarf
• 20-V-Gate-Nennspannung ermöglicht robuste Gate-Drive-Spannen
• 50 A kontinuierliche Ablassleistung unterstützt Hochstromlasten
• 12,6 mΩ Rds(on) minimieren Leitungsverluste für einen effizienten Betrieb
• Maximale Verlustleistung von 58 W ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• Die typische Gate-Ladung von 39 nC sorgt für einen vorhersehbaren Schaltenergiebedarf
• 20-V-Gate-Nennspannung ermöglicht robuste Gate-Drive-Spannen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Kraftfahrzeug-Stromverteilungsmodule
• Ideal für das Schalten von Hochstromlasten in Steuergeräten
• Einsatz mit Wärmemanagementsystemen für den Betrieb bei hohen Temperaturen
• Kann zum Schutz der Batterien und zur Steuerung des Strompfads verwendet werden
• Kompatibel mit Durchsteckmontage an Stromversorgungsbaugruppen
• Ideal für das Schalten von Hochstromlasten in Steuergeräten
• Einsatz mit Wärmemanagementsystemen für den Betrieb bei hohen Temperaturen
• Kann zum Schutz der Batterien und zur Steuerung des Strompfads verwendet werden
• Kompatibel mit Durchsteckmontage an Stromversorgungsbaugruppen
In welchem Temperaturbereich kann das Produkt zuverlässig betrieben werden?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt.
Welche Gehäusetypen und Befestigungsmethode werden verwendet?
Er wird in einem TO-252-Gehäuse geliefert, das für die Durchsteckmontage vorgesehen ist.
Wie wirkt sich die Gate-Ladeziffer auf das Schaltdesign aus?
Eine Gate-Ladung von 39 nC zeigt die Gate-Antriebsenergie an und beeinflusst die Treibergrösse und Schaltverluste.
Ist es für den Einsatz in elektronischen Systemen im Automobilbereich geeignet?
Er entspricht dem AEC-Q101-Standard für Automobilgeräte für die Eignung in Fahrzeugumgebungen.
Wie hoch ist die maximal zulässige Gate-to-Source-Spannung?
Die maximale VGS-Bewertung beträgt 20 V.
Verwandte Links
- Infineon IPD Typ P-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -30 V / -50 A 58 W PG-TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal MOSFET P / 15.1 A TO-252
- Infineon IPD N-Kanal MOSFET P / 1.7 A TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -40 V / -85 A 88 W TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal MOSFET N / 4.4 A TO-252
- Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET P / 13 A TO-252