Infineon IPD Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V / 50 A 58 W, 3-Pin TO-252

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*

19,26 €

(ohne MwSt.)

22,92 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 6.880 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
20 - 200,963 €19,26 €
40 - 800,915 €18,30 €
100 - 1800,877 €17,54 €
200 - 4800,838 €16,76 €
500 +0,78 €15,60 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
217-2519
Herst. Teile-Nr.:
IPD50P04P413ATMA2
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

IPD

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

12.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

58W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

-1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

39nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon -40 V, P-Ch, max. 12,6 MΩ, Kfz-MOSFET, DPAK, OptiMOS TM-P2.

P-Kanal - Normaler Pegel - Verbesserungsmodus

AEC-Zulassung

MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung

175 °C Betriebstemperatur

Grünes Gehäuse (RoHS-konform)

100 % Lawinenprüfung

Verwandte Links