Infineon IPN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 9 A 111 W, 3-Pin SOT-223

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RS Best.-Nr.:
217-2542
Herst. Teile-Nr.:
IPN60R360P7SATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

SOT-223

Serie

IPN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

360mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

111W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

36nC

Betriebstemperatur min.

-40°C

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

8.8 mm

Länge

8.8mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.1mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon CoolMOS TM P7 Superjunction (SJ) MOSFET wurde entwickelt, um typische Herausforderungen auf dem SMPS-Markt mit geringer Leistungsaufnahme zu bewältigen, indem er eine ausgezeichnete Leistung und Benutzerfreundlichkeit bietet, die verbesserte Formfaktoren und eine verbesserte Preiswettbewerbsfähigkeit ermöglicht. Das SOT-223-Gehäuse ist eine kostengünstige Eins-zu-Eins-Drop-In-Alternative zu DPAK, die auch bei einigen Designs eine Reduzierung des Platzbedarfs ermöglicht. Er kann auf einer typischen DPAK-Abmessung platziert werden und weist eine vergleichbare thermische Leistung auf. Diese Kombination macht CoolMOS TM P7 in SOT-223 perfekt für seine Zielanwendungen.

Optimale Leistung bei der Supjunction-Technologie

Kostengünstige Paketlösung

Bestes Preis-Leistungs-Verhältnis

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