Infineon IPN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 600 V / 6 A 81 W, 3-Pin IPN60R600PFD7SATMA1 SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 244-2271
- Herst. Teile-Nr.:
- IPN60R600PFD7SATMA1
- Marke:
- Infineon
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- IPN60R600PFD7SATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | IPN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie IPN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon 600V CoolMOS™ PFD7 Superjunction-MOSFET (IPN60R2K0PFD7S) ergänzt das CoolMOS™ 7-Angebot für Endverbraucheranwendungen, das auf ultrahohe Leistungsdichte und höchste Effizienz zugeschnitten ist.
Extrem niedrige Verluste durch sehr niedrige FOM RDS(on)*Qg und RDS(on)*Eoss
Niedrige Schaltverluste Eoss, ausgezeichnetes thermisches Verhalten
Schnelle Body-Diode
Breites Portfolio an RDS(on) und Gehäusevarianten
Ermöglicht Designs mit hoher Leistungsdichte und kleinen Formfaktoren
Ermöglicht Effizienzgewinne bei höheren Schaltfrequenzen
Ausgezeichnete Kommutierungsrobustheit
Einfache Auswahl der richtigen Bauteile und Optimierung des Designs