Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 82 A 3.6 W, 8-Pin PQFN

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217-2613
Herst. Teile-Nr.:
IRFH8325TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

82A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

32nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

3.6W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.02mm

Breite

4.98 mm

Höhe

1.17mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 30-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem 5-mm-x-6-mm-PQFN-Gehäuse.

Optimiert für die breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern

Produktqualifikation nach JEDEC-Standard

Logikpegel: Optimiert für 5-V-Gate-Ansteuerspannung

SMD-Leistungsgehäuse nach Industriestandard

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