Infineon CoolMOS™ C3 SPD04N80C3ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 4 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 217-2644
Herst. Teile-Nr.:: SPD04N80C3ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon CoolMOS™ C3 SPD04N80C3ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 4 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

4970 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer VPE à 10)

1,253 €

(ohne MwSt.)

1,491 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
10 - 40	1,253 €	12,53 €
50 - 90	1,19 €	11,90 €
100 - 240	1,14 €	11,40 €
250 - 490	1,09 €	10,90 €
500 +	1,015 €	10,15 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 217-2644
Herst. Teile-Nr.:: SPD04N80C3ATMA1
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Datasheet - SPD04N80C3ATMA1

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Die Infineon 800V CoolMOS TM C3 ist die dritte Serie von CoolMOS TM von Infineon mit Markteintritt im Jahr 2001. C3 ist das "Arbeitspferd" des Portfolios. .

Niedriger spezifischer Betriebswiderstand (RDS(on) * A)
Sehr geringe Energiespeicherung in Ausgangskapazität (Eoss) bei 400 V
Niedrige Gate-Ladung (Qg)
Bewährte CoolMOS-Qualität
Die CoolMOS™-Technologie wird seit 1998 von Infineon hergestellt.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	4 A
Drain-Source-Spannung max.	800 V
Serie	CoolMOS™ C3
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	1,3 Ohm
Gate-Schwellenspannung max.	3.9V
Anzahl der Elemente pro Chip	1

Infineon CoolMOS™ C3 SPD04N80C3ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 4 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

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