Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 800 V / 6 A 83 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
214-4480
Herst. Teile-Nr.:
SPD06N80C3ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

CoolMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

900mΩ

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

41nC

Maximale Verlustleistung Pd

83W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Dieser Infineon Cool MOS MOSFET verwendet eine neue revolutionäre Hochspannungstechnologie und verfügt über eine hohe Peak Current Kapazität.

Extrem niedrige effektive Kapazitäten

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