Infineon 600V CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V / 109 A 446 W, 3-Pin IPW60R017C7XKSA1 TO-247

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RS Best.-Nr.:
218-3085
Herst. Teile-Nr.:
IPW60R017C7XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

109A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

600V CoolMOS C7

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

17mΩ

Maximale Verlustleistung Pd

446W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

240nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

21.1mm

Breite

5.21 mm

Länge

16.13mm

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon Serie 600 V CoolMOS. Der CoolMOS TM C7 ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Superjunction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde.

Geeignet für hartes und weiches Schalten (PFC und Hochleistungs-LLC)

Erhöhte MOSFET-dv/dt-Robustheit bis 120 V/ns

Erhöhte Schaltfrequenz

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