Infineon HEXFET IRFH8201TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 324 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- RS Best.-Nr.:
- 218-3103
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFH8201TRPBF
- Marke:
- Infineon
Voraussichtlich ab 08.07.2025 verfügbar.
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 4000)
0,76 €
(ohne MwSt.)
0,90 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 4000 + | 0,76 € | 3.040,00 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 218-3103
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFH8201TRPBF
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Leistungs-MOSFET der Infineon HEXFET-Serie mit einem N-Kanal. Er wird hauptsächlich in Batterie-betriebenen DC-Motorwechselrichtern verwendet.
Kompatibel mit bestehenden Oberflächenmontagetechniken
Niedriger Wärmewiderstand zur Leiterplatte (<0,8 °C/W)
RoHS-konform, halogenfrei
Niedriger Wärmewiderstand zur Leiterplatte (<0,8 °C/W)
RoHS-konform, halogenfrei
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 324 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 25 V |
| Serie | HEXFET |
| Gehäusegröße | SuperSO8 5 x 6 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,95 Ω |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.35V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Transistor-Werkstoff | Si |
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