Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 34 A 3.6 W, 8-Pin SuperSO

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RS Best.-Nr.:
217-2609
Herst. Teile-Nr.:
IRFH5020TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

34A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

SuperSO

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

55mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

3.6W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

34nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

6 mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

5mm

Höhe

0.9mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 200 V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem 5-mm-x-6-mm-PQFN-Gehäuse.

Optimiert für die breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern

Produktqualifikation nach JEDEC-Standard

Normaler Pegel: Optimiert für 10-V-Gate-Ansteuerspannung

SMD-Leistungsgehäuse nach Industriestandard

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