Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 500 V / 6 A 119 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 218-3115
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR825TRPBF
- Marke:
- Infineon
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- IRFR825TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.3Ω | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 119W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 34nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.67mm | |
| Höhe | 9.65mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.3Ω | ||
Maximale Verlustleistung Pd 119W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 34nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.67mm | ||
Höhe 9.65mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der 1-N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon HEXFET-Serie, integriert in das Gehäuse des Typs DPAK (TO-252). Dieser MOSFET wird hauptsächlich in USV, SMPS usw. verwendet
Geringere Gate-Ladung führt zu einfacheren Antriebsanforderungen.
Höhere Gate-Spannungsschwelle bietet eine verbesserte Störfestigkeit.
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