Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 500 V / 6 A 119 W, 3-Pin TO-252

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)*

1.786,00 €

(ohne MwSt.)

2.126,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 17. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2000 - 20000,893 €1.786,00 €
4000 +0,848 €1.696,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
218-3115
Herst. Teile-Nr.:
IRFR825TRPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

500V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.3Ω

Maximale Verlustleistung Pd

119W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

34nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

4.83 mm

Höhe

9.65mm

Länge

10.67mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der 1-N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon HEXFET-Serie, integriert in das Gehäuse des Typs DPAK (TO-252). Dieser MOSFET wird hauptsächlich in USV, SMPS usw. verwendet

Geringere Gate-Ladung führt zu einfacheren Antriebsanforderungen.

Höhere Gate-Spannungsschwelle bietet eine verbesserte Störfestigkeit.

Verwandte Links