Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 500 V / 6 A 119 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
218-3115
Herst. Teile-Nr.:
IRFR825TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

500V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.3Ω

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

119W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

34nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.67mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

9.65mm

Breite

4.83 mm

Automobilstandard

Nein

Der 1-N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon HEXFET-Serie, integriert in das Gehäuse des Typs DPAK (TO-252). Dieser MOSFET wird hauptsächlich in USV, SMPS usw. verwendet

Geringere Gate-Ladung führt zu einfacheren Antriebsanforderungen.

Höhere Gate-Spannungsschwelle bietet eine verbesserte Störfestigkeit.

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