Infineon CoolMOS™ C7 IPT60R150G7XTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 23 A, 8-Pin HSOF-8

Die Infineon CoolMOS C7 Gold Superjunction MOSFET-Serie (G7) vereint die Vorteile der verbesserten 600-V-CoolMOS TM C7 Gold-Technologie, 4-polige Kelvin-Quellfähigkeit und die verbesserten thermischen Eigenschaften des TO-Leadless (TOLL)-Gehäuses, um eine mögliche SMD-Lösung für Starkstrom-Hartschalungstopologien wie Leistungsfaktorkorrektur (PFC) bis zu 3 kW und für Schwingkreise wie High End LLC zu ermöglichen.

Bietet erstklassige FOM R DS(on)xE oss und R DS(on)XQ G
Ermöglicht Best-in-Class R DS(on) auf kleinstem Raum
Integrierte 4-polige Kelvin-Quellkonfiguration und niedrige parasitäre Quellinduktivität (∼1 nH)
Ist MSL1-konform, absolut bleifrei, hat gerillte Visual Inspection-Leitungen
Ermöglicht eine verbesserte thermische Leistung
Höhere Effizienz durch verbesserte C7 Gold-Technologie und schnelleres Schalten
Verbesserte Leistungsdichte durch niedrigen R DS(on) bei geringer Abmessung, entweder durch Ersetzen von TO-Gehäusen (Höhenbeschränkungen) oder parallel vergossener SMD-Gehäuse aufgrund von thermischen oder R DS(on)-Anforderungen