Infineon C7 GOLD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 45 A 95 W, 10-Pin HDSOP
- RS Best.-Nr.:
- 220-7420
- Herst. Teile-Nr.:
- IPDD60R150G7XTMA1
- Marke:
- Infineon
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| 25 - 45 | 2,896 € | 14,48 € |
| 50 - 120 | 2,724 € | 13,62 € |
| 125 - 245 | 2,524 € | 12,62 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 220-7420
- Herst. Teile-Nr.:
- IPDD60R150G7XTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 45A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | HDSOP | |
| Serie | C7 GOLD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 10 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 150mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 23nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 95W | |
| Länge | 6.6mm | |
| Höhe | 21.11mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 45A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße HDSOP | ||
Serie C7 GOLD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 10 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 150mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 23nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 95W | ||
Länge 6.6mm | ||
Höhe 21.11mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon Technologies stellt das erste SMD-Gehäuse (Double DPAK) mit Kühlung auf der Oberseite vor, das sich für Hochleistungs-SMPS-Anwendungen wie PC-Stromversorgung, Solar, Server und Telekommunikation eignet. Die Vorteile der bereits vorhandenen 600-V-Cool-MOS-G7-Super Junction (SJ)-MOSFETs mit dem innovativen Konzept der Kühlung auf der Oberseite bieten eine Systemlösung für Starkstrom-Schalt-Topologien wie PFC und eine High-End-Effizienzlösung für LLC-Topologien.
Bietet erstklassige FOM RDS(on) x Eoss und RDS(on) x Qg
Innovatives Kühlkonzept auf der Oberseite
Integrierte 4. Stift Kelvin-Quellkonfiguration und niedrige parasitäre Quelle Induktivität
TCOB-Fähigkeit von >> 2.000 Zyklen, MSL1-konform und vollständig bleifrei
Ermöglicht höchste Energieeffizienz
Thermische Entkopplung von Platine und Halbleiter ermöglicht die Überwindung thermischer Leiterplatten-Grenzwerte
Die reduzierte parasitäre Quellinduktivität verbessert den E-Wirkungsgrad und die Benutzerfreundlichkeit
Ermöglicht Lösungen mit höherer Leistungsdichte
Übertrifft die höchsten Qualitätsstandards
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