Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 300 V / 16 A 150 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
220-7357
Herst. Teile-Nr.:
BSC13DN30NSFDATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET & Diode

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

16A

Drain-Source-Spannung Vds max.

300V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

TDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

130mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

150W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

23nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

1.2mm

Länge

5.35mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.1 mm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon OptiMOS Fast Diode (FD) 200 V, 250 V und 300 V ist für die harte Kommutierung der Gehäusediode optimiert. Diese Geräte sind die perfekte Wahl für harte Schaltanwendungen wie Telekommunikation, industrielle Netzteile, Audioverstärker der Klasse D, Motorsteuerung und DC/AC-Wechselrichter.

Verbesserte Robustheit bei harter Kommutierung

Optimiertes hartes Schaltverhalten

Branchenweit niedrigste R ds(on), Q g und Q rr

RoHS-konform - halogenfrei

Höchste Systemzuverlässigkeit

Senkung der Systemkosten

Höchste Effizienz und Leistungsdichte

Einfaches Design von Produkten

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