Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 60 V / 40 A 36 W, 8-Pin TSDSON

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RS Best.-Nr.:
220-7361
Herst. Teile-Nr.:
BSZ100N06NSATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET & Diode

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TSDSON

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

36W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.1 mm

Höhe

1.2mm

Länge

5.35mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon OptiMOS 5 60V ist für die synchrone Gleichrichtung in Switched Mode Netzteilen (SMPS) optimiert, wie sie in Servern und Desktops und Tablet-Ladegeräten zu finden sind. Darüber hinaus sind diese Geräte die perfekte Wahl für eine Vielzahl von industriellen Anwendungen wie Motorsteuerung, Solar-Mikrowechselrichter und schnell schaltende DC/DC-Wandler.

Optimiert für synchrone Gleichrichtung

40 % geringerer R DS(on) als alternative Geräte

40 % Verbesserung des FOM gegenüber ähnlichen Geräten

RoHS-konform - halogenfrei

MSL1-ausgelegt

Höchste Systemeffizienz

Weniger Parallelschaltung erforderlich

Erhöhte Leistungsdichte

Senkung der Systemkosten

Sehr niedrige Spannungsübersteuerung

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