Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 900 V / 15 A 208 W, 3-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*

2.171,00 €

(ohne MwSt.)

2.583,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 22. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
1000 +2,171 €2.171,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
220-7396
Herst. Teile-Nr.:
IPB90R340C3ATMA2
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET & Diode

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

15A

Drain-Source-Spannung Vds max.

900V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

CoolMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

340mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

94nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

208W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

4.57mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

9.45 mm

Länge

10.31mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon 900V Cool MOS C3 ist die dritte Serie von Cool MOS von Infineon mit Markteintritt im Jahr 2001. C3 ist das "Arbeitspferd" des Portfolios.

Niedriger spezifischer Betriebswiderstand (RDS(on) * A)

Sehr geringe Energiespeicherung in Ausgangskapazität (Eoss) bei 400 V

Niedrige Gate-Ladung (Qg)

Bewährte Cool MOS TM-Qualität

Verwandte Links

Recently viewed