Infineon CoolMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 700 V / 145 A, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 220-7391
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB65R065C7ATMA2
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 145A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 65mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 145A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie CoolMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 65mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon Cool MOS C7 Super Junction MOSFET-Serie ist ein revolutionärer Technologieschritt, der den weltweit niedrigsten RDS(on)/Gehäuse bietet und dank seiner geringen Schaltverluste Effizienzverbesserungen über den Volllastbereich hinweg bietet.
650 V Spannung
Revolutionäres Best-in-Class R DS(on)/Gehäuse
Geringere Energiespeicherung in der Ausgangskapazität (Eoss)
Niedrigere Gate-Ladung Qg.
Platzsparend durch Einsatz kleinerer Gehäuse oder Reduzierung von Teile
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