Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 700 V / 145 A, 3-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

12,37 €

(ohne MwSt.)

14,72 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Die Versandkosten für Bestellungen unter 100,00 € (ohne MwSt.) betragen 8,95 €.
Auf Lager
  • Zusätzlich 850 Einheit(en) mit Versand ab 23. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 86,185 €12,37 €
10 - 185,32 €10,64 €
20 - 484,95 €9,90 €
50 - 984,645 €9,29 €
100 +4,265 €8,53 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
220-7391
Herst. Teile-Nr.:
IPB65R065C7ATMA2
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET & Diode

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

145A

Drain-Source-Spannung Vds max.

700V

Serie

CoolMOS

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

65mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Infineon Cool MOS C7 Super Junction MOSFET-Serie ist ein revolutionärer Technologieschritt, der den weltweit niedrigsten RDS(on)/Gehäuse bietet und dank seiner geringen Schaltverluste Effizienzverbesserungen über den Volllastbereich hinweg bietet.

650 V Spannung

Revolutionäres Best-in-Class R DS(on)/Gehäuse

Geringere Energiespeicherung in der Ausgangskapazität (Eoss)

Niedrigere Gate-Ladung Qg.

Platzsparend durch Einsatz kleinerer Gehäuse oder Reduzierung von Teile

Verwandte Links

Recently viewed