Infineon CoolMOS™ IPB65R125CFD7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 700 V / 19 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 236-3658
Herst. Teile-Nr.:: IPB65R125CFD7ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon CoolMOS™ IPB65R125CFD7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 700 V / 19 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Preis pro Stück (In einer VPE à 2)

4,105 €

(ohne MwSt.)

4,885 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
2 - 8	4,105 €	8,21 €
10 - 18	3,695 €	7,39 €
20 - 48	3,45 €	6,90 €
50 - 98	3,20 €	6,40 €
100 +	2,96 €	5,92 €

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RS Best.-Nr.:: 236-3658
Herst. Teile-Nr.:: IPB65R125CFD7ATMA1
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Datasheet - IPB65R125CFD7ATMA1

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Der Infineon CoolMOS Super Junction MOSFET mit integrierter, schneller Gehäusediode ist die perfekte Wahl für resonante Hochleistungs-Topologien. Er ist ideal für industrielle Anwendungen wie Server-, Telekommunikations-, Solar- und EV-Ladestationen, Dies ermöglicht erhebliche Effizienzverbesserungen im Vergleich zur Konkurrenz. Er hat einen Abflussstrom von 15 A.

Ausgezeichnete Robustheit bei harter Kommutierung
Zusätzliche Sicherheitsmarge für Designs mit erhöhter Busspannung
Ermöglicht eine erhöhte Leistungsdichte
Hervorragende Lichtlasteffizienz in industriellen SMPS-Anwendungen
Verbesserte Volllast-Effizienz in industriellen SMPS-Anwendungen
Preiswettbewerbsfähigkeit im Vergleich zu alternativen Angeboten auf dem Markt

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	19 A
Drain-Source-Spannung max.	700 V
Serie	CoolMOS™
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	0,125 Ω
Gate-Schwellenspannung max.	4.5V
Anzahl der Elemente pro Chip	1

Infineon CoolMOS™ IPB65R125CFD7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 700 V / 19 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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