- RS Best.-Nr.:
- 236-3659
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB65R155CFD7ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 236-3659
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB65R155CFD7ATMA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Infineon CoolMOS Super Junction MOSFET mit integrierter, schneller Gehäusediode ist die perfekte Wahl für resonante Hochleistungs-Topologien. Er ist ideal für industrielle Anwendungen wie Server-, Telekommunikations-, Solar- und EV-Ladestationen, Dies ermöglicht erhebliche Effizienzverbesserungen im Vergleich zur Konkurrenz. Er hat einen Abflussstrom von 12 A.
Ausgezeichnete Robustheit bei harter Kommutierung
Zusätzliche Sicherheitsmarge für Designs mit erhöhter Busspannung
Ermöglicht eine erhöhte Leistungsdichte
Hervorragende Lichtlasteffizienz in industriellen SMPS-Anwendungen
Verbesserte Volllast-Effizienz in industriellen SMPS-Anwendungen
Preiswettbewerbsfähigkeit im Vergleich zu alternativen Angeboten auf dem Markt
Zusätzliche Sicherheitsmarge für Designs mit erhöhter Busspannung
Ermöglicht eine erhöhte Leistungsdichte
Hervorragende Lichtlasteffizienz in industriellen SMPS-Anwendungen
Verbesserte Volllast-Effizienz in industriellen SMPS-Anwendungen
Preiswettbewerbsfähigkeit im Vergleich zu alternativen Angeboten auf dem Markt
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 15 A |
Drain-Source-Spannung max. | 700 V |
Serie | CoolMOS™ |
Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 0,155 Ω |
Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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