Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET & Diode Erweiterung 700 V / 145 A 171 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 220-7459
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW65R065C7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 145A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 65mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 171W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 64nC | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 16.13mm | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Breite | 5.21 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 145A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 65mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 171W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 64nC | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 16.13mm | ||
Höhe 21.1mm | ||
Breite 5.21 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon Cool MOS C7 Super Junction MOSFET-Serie ist ein revolutionärer Technologieschritt, der den weltweit niedrigsten RDS(on)/Gehäuse bietet und dank seiner geringen Schaltverluste Effizienzverbesserungen über den Volllastbereich hinweg bietet.
650 V Spannung
Revolutionäres Best-in-Class R DS(on)/Gehäuse
Geringere Energiespeicherung in der Ausgangskapazität (Eoss)
Niedrigere Gate-Ladung Qg.
Platzsparend durch Einsatz kleinerer Gehäuse oder Reduzierung von Teile
Verbesserte Sicherheitsmarge und geeignet für SMPS und Solar Wechselrichteranwendungen
Niedrigste Leitungsverluste/Gehäuse
Niedrige Schaltverluste
Bessere Effizienz bei geringer Last
Erhöhung der Leistungsdichte
Hervorragende Cool MOS TM-Qualität
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