Infineon OptiMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 30 V / 90 A 137 W, 3-Pin TO-252

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Herst. Teile-Nr.:
IPD90P03P4L04ATMA2
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET & Diode

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

90A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

5V

Maximale Verlustleistung Pd

137W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

125nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

6.73mm

Höhe

2.41mm

Breite

6.22mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

MOSFET und Diode der OptiMOS-Serie von Infineon, 30 V maximale Drain-Source-Spannung, 90 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPD90P03P4L04ATMA2


Diese MOSFET und Diode ist ein oberflächenmontierbares Leistungsgerät, das für Hochstromschaltungen in Automobil- und Leistungsumwandlungsumgebungen entwickelt wurde. Er integriert eine Body-Diode und arbeitet als P-Kanal-Enhancement-Modus-Transistor, wodurch er sich für Systeme eignet, die einen geringen Einschaltwiderstand und eine robuste thermische Beständigkeit über einen erweiterten Temperaturbereich erfordern.

Merkmale und Vorteile:


• Der Ablasswert von 30 V ermöglicht Niederspannungsstufenkonstruktionen
• Rds(on) von 4,1 mΩ reduziert Leitungsverluste bei starken Strömen
• Die kontinuierliche Ablassleistung von 90 A unterstützt Hochstromanwendungen
• Die Verlustleistung von 137 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• Die typische Gate-Ladung von 125 nC gewährleistet ein vorhersehbares Schaltverhalten

Anwendungsbereich


• Geeignet für Kfz-DC/DC-Wandler-Leistungsstufen
• Ideal für synchrone Hochstrom-Gleichrichterschaltungen
• Verwendung mit Motorantriebs-Niederspannungs-Stromversorgungsschienen
• Kann für Batteriemanagement und Stromverteilung verwendet werden

Welches Gehäuse und welche Befestigungsart wird verwendet?


Er wird in einem TO-252-Gehäuse geliefert und ist für die Oberflächenmontage vorgesehen.

Wie funktioniert es bei extremen Temperaturen?


Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt und eignet sich für einen breiten Temperaturbereich.

Was ist die Gate-Spannungsgrenze und die Auswirkungen auf das Schalten?


Die maximale Gate-Source-Spannung beträgt 5 V, was die zulässige Gate-Antriebsamplitude definiert und die Schaltspanne beeinflusst.

Wie hoch ist die Durchlassspannung der integrierten Diode?


Die Body-Diode hat eine Durchlassspannung von -1,3 V, gemessen unter bestimmten Bedingungen.

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