Infineon CoolMOS™ P7 IPU80R750P7AKMA1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor & Diode 800 V / 7 A, 3-Pin IPAK (TO-251)
- RS Best.-Nr.:
- 220-7450
- Herst. Teile-Nr.:
- IPU80R750P7AKMA1
- Marke:
- Infineon
Preis pro Stück (In einer VPE à 10)
1,158 €
(ohne MwSt.)
1,378 €
(inkl. MwSt.)
Zurzeit nicht verfügbar, Versand erfolgt sobald lieferbar.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
---|---|---|
10 - 40 | 1,158 € | 11,58 € |
50 - 90 | 1,10 € | 11,00 € |
100 - 240 | 1,053 € | 10,53 € |
250 - 490 | 1,007 € | 10,07 € |
500 + | 0,937 € | 9,37 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 220-7450
- Herst. Teile-Nr.:
- IPU80R750P7AKMA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Die Infineon 800 V Cool MOS P7 Super Junction MOSFET-Serie ist perfekt für SMPS-Anwendungen mit geringer Leistungsaufnahme geeignet, da sie die Marktanforderungen in Bezug auf Leistung, Benutzerfreundlichkeit und Preis-Leistungs-Verhältnis vollständig erfüllt. Er konzentriert sich hauptsächlich auf Fly-Back-Anwendungen wie Adapter und Ladegerät, LED-Treiber, Audio-SMPS, AUX und industrielle Stromversorgung. Diese neue Produktfamilie bietet eine bis zu 0,6 % Effizienzverstärkung und eine um 2 °C bis 8 °C niedrigere MOSFET-Temperatur im Vergleich zu ihrem Vorgänger sowie zu Wettbewerberteilen, die in typischen Fly-Back-Anwendungen getestet wurden. Es ermöglicht auch Designs mit höherer Leistungsdichte durch geringere Schaltverluste und bessere DPAK R DS(on)-Produkte. Insgesamt hilft es den Kunden, BOM-Kosten zu sparen und den Montageaufwand zu reduzieren.
Best-in-Class FOM R DS(on) * E oss
Reduzierter Qg, C ist und C oss
Best-in-Class DPAK R DS(on) von 280 mΩ
Best-in-Class V (GS) der Variation von 3 V und kleinste V (GS) Von ±0,5 V
Integrierter Zenerdiode ESD-Schutz bis Klasse 2 (HBM)
Erstklassige Qualität und Zuverlässigkeit
Vollständig optimiertes Portfolio
0,1 % bis 0,6 % Effizienzverstärkung und 2 °C bis 8 °C niedriger MOSFET-Temperatur im Vergleich zu Cool MOS TM C3
Ermöglicht Designs mit höherer Leistungsdichte, BOM-Einsparungen und geringere Montagekosten
Einfach zu fahren und zu entwickeln
Bessere Produktionsausbeute durch Reduzierung von ESD-bedingten Ausfällen
Weniger Produktionsprobleme und geringere Rückgaben im Feld
Leicht zu wählende, richtige Teile für die Feinabstimmung von Designs
Best-in-Class DPAK R DS(on) von 280 mΩ
Best-in-Class V (GS) der Variation von 3 V und kleinste V (GS) Von ±0,5 V
Integrierter Zenerdiode ESD-Schutz bis Klasse 2 (HBM)
Erstklassige Qualität und Zuverlässigkeit
Vollständig optimiertes Portfolio
0,1 % bis 0,6 % Effizienzverstärkung und 2 °C bis 8 °C niedriger MOSFET-Temperatur im Vergleich zu Cool MOS TM C3
Ermöglicht Designs mit höherer Leistungsdichte, BOM-Einsparungen und geringere Montagekosten
Einfach zu fahren und zu entwickeln
Bessere Produktionsausbeute durch Reduzierung von ESD-bedingten Ausfällen
Weniger Produktionsprobleme und geringere Rückgaben im Feld
Leicht zu wählende, richtige Teile für die Feinabstimmung von Designs
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 7 A |
Drain-Source-Spannung max. | 800 V |
Serie | CoolMOS™ P7 |
Gehäusegröße | IPAK (TO-251) |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 0,75 O |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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