Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 99.6 A 277.8 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 220-7460
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW65R110CFDAFKSA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 99.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 110mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 118nC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 277.8W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.21 mm | |
| Länge | 16.13mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 99.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie CoolMOS | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 110mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 118nC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 277.8W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 21.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.21 mm | ||
Länge 16.13mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der 650V Cool MOS CFDA Super Junction (SJ) MOSFET von Infineon ist die zweite Generation von marktführenden, für den Einsatz in der Automobilindustrie qualifizierten Cool MOS-Leistungs-MOSFETs. Neben den bekannten Eigenschaften von hoher Qualität und Zuverlässigkeit, die die Automobilindustrie benötigt, bietet die 650V Cool MOS CFDA-Serie auch eine integrierte schnelle Gehäusediode.
Erste für den Einsatz in der Automobilindustrie geeignete 650-V-Technologie mit integrierter schneller Gehäusediode Auf dem Markt
Begrenztes Überschwingen der Spannung bei harter Kommutierung - Selbstbegrenzung di/dt Und dv/dt
Niedriger Gate-Ladewert Q g.
Niedrige Q rr bei wiederholter Kommutierung auf Gehäusediode und Niedriger Q-Wurf
Reduzierte Ein- und Einschaltzeiten
Erhöhte Sicherheitsmarge durch höhere Durchschlagsspannung
Verringertes EMI-Erscheinungsbild und einfache Bauweise
Bessere Effizienz bei geringer Last
Geringere Schaltverluste
Höhere Schaltfrequenz und/oder höherer Arbeitszyklus möglich
Hohe Qualität und Zuverlässigkeit
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