Infineon CoolMOS™ IPW65R110CFDAFKSA1 N-Kanal Dual, THT MOSFET Transistor & Diode 650 V / 99,6 A, 3-Pin TO-247

Der 650V Cool MOS CFDA Super Junction (SJ) MOSFET von Infineon ist die zweite Generation von marktführenden, für den Einsatz in der Automobilindustrie qualifizierten Cool MOS-Leistungs-MOSFETs. Neben den bekannten Eigenschaften von hoher Qualität und Zuverlässigkeit, die die Automobilindustrie benötigt, bietet die 650V Cool MOS CFDA-Serie auch eine integrierte schnelle Gehäusediode.

Erste für den Einsatz in der Automobilindustrie geeignete 650-V-Technologie mit integrierter schneller Gehäusediode Auf dem Markt
Begrenztes Überschwingen der Spannung bei harter Kommutierung - Selbstbegrenzung di/dt Und dv/dt
Niedriger Gate-Ladewert Q g.
Niedrige Q rr bei wiederholter Kommutierung auf Gehäusediode und Niedriger Q-Wurf
Reduzierte Ein- und Einschaltzeiten
Erhöhte Sicherheitsmarge durch höhere Durchschlagsspannung
Verringertes EMI-Erscheinungsbild und einfache Bauweise
Bessere Effizienz bei geringer Last
Geringere Schaltverluste
Höhere Schaltfrequenz und/oder höherer Arbeitszyklus möglich
Hohe Qualität und Zuverlässigkeit