onsemi NVTFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 28.3 A 107 W, 8-Pin WDFN

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221-6760
Herst. Teile-Nr.:
NVTFS4C02NTAG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

28.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

WDFN

Serie

NVTFS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

20nC

Maximale Verlustleistung Pd

107W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.15mm

Höhe

3.15mm

Breite

0.8 mm

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor Automotive Power MOSFET in einem 3 x 3 mm flachen Kabelgehäuse für kompakte und effiziente Designs und einschließlich hoher Wärmeleistung. Die benetzbare Flankenoption ist für eine verbesserte optische Inspektion erhältlich. Es verwendete AEC-Q101-qualifizierten MOSFET und PPAP-fähig, geeignet für Kfz-Anwendungen.

Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten

Niedrige Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten

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