DiodesZetex Doppelt DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 217 mA 250 mW, 6-Pin US DMN66D0LDWQ-7
- RS Best.-Nr.:
- 222-2848
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN66D0LDWQ-7
- Marke:
- DiodesZetex
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- DMN66D0LDWQ-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 217mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | US | |
| Serie | DMN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250mW | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, J-STD-020, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0 | |
| Länge | 2.15mm | |
| Breite | 1.3 mm | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 217mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße US | ||
Serie DMN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250mW | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Normen/Zulassungen RoHS, J-STD-020, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0 | ||
Länge 2.15mm | ||
Breite 1.3 mm | ||
Höhe 0.95mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | ||
Der DiodesZetex Dual N-Kanal Enhancement Mode MOSFET wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Kfz-Anwendungen zu erfüllen. Es ist gemäß AEC-Q101 zugelassen und wird von einem PPAP unterstützt.
Zweifacher N-Kanal-MOSFET
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Gate-Schwellenspannung
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
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